Ziel dieses Vorhabens war zum einen die kontrollierte Abscheidung dünner Schichten aus amorphem Silizium mit homogener Schichtdicke auf nasschemisch texturierten Wafern. Durch Vergleich mit unter analogen Bedingungen auf planaren Wafern abgeschiedenen Schichten sollte herausgefunden werden, welchen Einfluss das durch die Pyramidentextur bedingte schräge Auftreffen des Materials auf das Schichtwachstum, auf die Schichthomogenität und die elektronischen und optischen Schichteigenschaften hat. Durch detaillierte Schichtcharakterisierung und systematische Variation der Abscheideparameter sollten die Eigenschaften derartiger Proben für den Einsatz in Hocheffizienz-Solarzellen optimiert und der Nutzen an einem Prototypen gezeigt werden.

• Prof. Dr. Bert Stegemann (Projektleitung)

Kommission für Forschung und wissenschaftlichen Nachwuchs (FNK) der HTW Berlin

• Helmholtz-Zentrum Berlin für Materialien und Energie
• GmbH (HZB)
• CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik und Photovoltaik GmbH